MoSi2具有高達(dá)2030°C的高熔點(diǎn)、較低的密度(6.24g/cm3)和優(yōu)異的高溫抗氧化性能以及良好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性，故被認(rèn)為是繼Ni基高溫合金(使用溫度<1100°C)以及第二代高溫TiAl合金之后的第三代超高溫結(jié)構(gòu)材料。但是，MoSi2也有一些致命的缺點(diǎn)，阻礙了它的實(shí)際應(yīng)用。除了低溫脆性較大(韌脆轉(zhuǎn)變溫度在900~1000°C)、1300°C以上高溫強(qiáng)度不足，尤其是蠕變抗力比較低之外，MoSi2在400~600°C會(huì)出現(xiàn)加速氧化的現(xiàn)象，最終會(huì)由致密體變成粉末，引起材料災(zāi)難性的毀壞。這種低溫氧化現(xiàn)象在學(xué)術(shù)界被稱(chēng)作Pest現(xiàn)象，是該材料作為實(shí)用的高溫結(jié)構(gòu)材料的一個(gè)研發(fā)難點(diǎn)。

　　目前關(guān)于MoSi2的Pest現(xiàn)象機(jī)理的研究認(rèn)為:Mo氧化物的揮發(fā)導(dǎo)致SiO2膜不連續(xù)和不致密；樣品本身不夠致密或者存在裂紋，使得氧原子能夠快速進(jìn)入材料內(nèi)部；雜質(zhì)元素O，N在晶界優(yōu)先擴(kuò)散等，這些因素導(dǎo)致材料快速氧化?；谏鲜龇治?，目前對(duì)于克服MoSi2的Pest問(wèn)題的研究思路，主要有以下幾種:提高M(jìn)oSi2的純度；提高材料的致密度；添加相對(duì)于Si與O有更強(qiáng)親和力的元素，降低內(nèi)部氧化造成的體積膨脹，從而抑制Pest效應(yīng)；采用高溫預(yù)氧化形成致密的SiO2膜，在材料表面形成玻璃保護(hù)層，降低氧化速率，等等。

　　試驗(yàn)表明，采用放電等離子燒結(jié)方法將Mo粉與Si粉混合物原位合成制備成高致密的MoSi2，其致密度高于將MoSi2粉末直接燒結(jié)制備而成的MoSi2，結(jié)果，前者在Pest現(xiàn)象溫度區(qū)表現(xiàn)出明顯優(yōu)于后者的抗氧化性，這說(shuō)明材料的致密度對(duì)于其抗氧化性能有重要影響。另外，用原位合成工藝，可以制備SiC顆粒增強(qiáng)的MoSi2基復(fù)合材料，該復(fù)合材料致密度高達(dá)99.5%以上，界面為直接的原子結(jié)合，無(wú)非晶層存在。由于該材料的高致密度，孔隙率低，無(wú)裂紋，極大地降低了O通過(guò)這些缺陷進(jìn)入材料內(nèi)部的擴(kuò)散速率，使粉化形核和生長(zhǎng)速度明顯減慢，有效地減緩了氧化。該材料在500°C下經(jīng)過(guò)1000小時(shí)氧化后，仍未發(fā)生Pest現(xiàn)象。這種SiC顆粒增強(qiáng)的MoSi2基復(fù)合材料，不僅抗氧化性能好，而且其斷裂韌性也比單一MoSi2提高了25%~46%；1000~1400°C下的壓縮流變應(yīng)力明顯高于單一MoSi2；1200~1400°C下的壓縮蠕變性能也明顯提高。

　　另?yè)?jù)報(bào)道，用機(jī)械合金化制備含La2O3的Mo-Si粉末，并進(jìn)行燒結(jié)，制成La2O3增韌的MoSi2復(fù)合材料。該材料未發(fā)生Pest現(xiàn)象，其原因在于表面形成了致密的SiO2保護(hù)膜。用Al合金化的MoSi2，在400°C、600°C、700°C下都有很好的抗氧化性能，質(zhì)量變化較少，其原因就在于材料表面形成了連續(xù)的3Al3O2.2SiO2保護(hù)膜；但它在500°C氧化過(guò)程中，卻發(fā)生了Pest現(xiàn)象，原因在于此時(shí)大量生成揮發(fā)性MoO3相，破壞了3Al3O2.2SiO2保護(hù)膜的形成；而由Al和Nb共同合金化的MoSi2，在500°C下氧化50小時(shí)后，材料中MoO3和Mo9O26含量變化不大，并出現(xiàn)了Al2O3，其抗氧化性得到了提高。